Samsung протестировала первые микросхемы DRAM, изготовленные по 40-нм технологии

Южнокорейская компания Samsung Electronics сообщила о проведении проверки первой микросхемы DRAM, изготовленной по 40-нанометровому технологическому процессу. Производитель ожидает, что переход на 40-нанометровую технологию ускорит время выхода новой продукции на рынок примерно на 50%, так что оно составит всего год.

Южнокорейская компания Samsung Electronics сообщила о проведении проверки первой микросхемы DRAM, изготовленной по 40-нанометровому технологическому процессу. Производитель ожидает, что переход на 40-нанометровую технологию ускорит время выхода новой продукции на рынок примерно на 50%, так что оно составит всего год. К концу 2009 г. компания Samsung планирует применять 40-нанометровую технологию и в массовом производстве 2-гигабитных модулей DDR3.

 

Samsung отмечает, что применение 40-нанометрового технологического процесса позволит снизить напряжение питания по сравнению с устройствами, произведенными по 50-нанометровой технологии, а это, по прогнозам компании, должно сократить энергопотребление примерно на 30% и увеличить производительность примерно на 60%. //www.mobile-review.com

Добавить комментарий