Samsung начинает серийный выпуск GDDR5 на основе технологического процесса 50 нм

Компания Samsung Electronics сообщила о старте серийного выпуска
высокопроизводительной памяти GDDR5 на основе технологического процесса
50 нм. Новая память Samsung поддерживает максимальную скорость передачи
данных 7,0 Гб/сек.Компания Samsung Electronics сообщила о старте серийного выпуска
высокопроизводительной памяти GDDR5 на основе технологического процесса
50 нм. Новая память Samsung поддерживает максимальную скорость передачи
данных 7,0 Гб/сек. (гигабит в секунду), что позволяет создавать более
реалистичную (трехмерную) графику с максимальной полосой пропускания 28
ГБ/сек. (гигабайт в секунду) — это более чем вдвое превышает показатель
предыдущей самой быстрой модели, GDDR4 (12,8 ГБ/сек.). Подобная
скорость равнозначна передаче девятнадцати фильмов DVD-качества объемом
по 1,5 ГБ каждый за одну секунду.

В отличие от стандарта GDDR4,
в котором для обработки данных и графики применяется технология
синхронизации стробирующих и тактовых импульсов, значительное
увеличение скорости в GDDR5 достигается благодаря использованию
независимого задающего генератора, для которого не требуется
синхронизация операций чтения-записи с тактовыми импульсами.

Внедрение
техпроцесса 50 нм, по оценкам компании Samsung, позволит повысить
эффективность производства на 100% по сравнению с техпроцессом 60 нм.
Кроме того, чипы GDDR5, работающие при питающем напряжении 1,35 В,
потребляют на 20% меньше электроэнергии, чем устройства GDDR4 (1,8 В).

Новые
устройства предлагаются в виде модулей 32 мегабита (Мбит) x32, но
возможна также конфигурация 64 Мбит х32. Ожидается, что доля GDDR5 на
рынке графической памяти в 2009 г. превысит 20%. Представители Samsung
также сообщили, что компания планирует перевести все производство
устройств видеопамяти на 50-нанометровый техпроцесс до конца текущего
года. //www.mobile-review.com

Добавить комментарий