Производство фазовой компьютерной памяти от кампании Samsung

Компания Samsung Electronics начало производство компьютерной памяти нового типа: (PRAM). Запись и сохранение информации производится путём расплавления и затвердевания кристаллов.

 

Компания Samsung Electronics начало производство компьютерной памяти нового типа: (PRAM). Запись и сохранение информации производится путём расплавления и затвердевания кристаллов.

 

 

 Заверение компани в своём пресс-релизе, PRAM производит чтение процессов почти в десять раз быстрее, чем аналогичные типы флеш-памяти, а скорость перезаписи информации превышает показатель флеш-носителей в семь раз. Ячейки PRAM основаны на полупроводнике микроскопических размеров. При записи информации они очень быстро переходят из кристаллической фазы в аморфную и обратно. Смена состояния достигается при помощи электрического импульса. Фазы сильно различаются по сопротивлению и могут быть интерпретированы как нули и единицы. Само пребывание в той или иной фазе энергии не требует. Быстродействие PRAM зависит лишь от того, сколько времени требуется для расплавления и последующей заморозки кристалла. К примеру, в одном из недавних экспериментов, проведённом Манфредом Вуттигом (Manfred Wuttig) из Берлинского технологического университета, учёные испытывали ячейки PRAM диаметром всего в 20 нанометров. В этих клетках переход между состояниями совершался всего за 16 наносекунд – быстрее любой существующий на сегодняшний день технологии. По оценке Samsung, применение PRAM в мобильных устройствах за счёт меньшего энергопотребления такой памяти способно увеличить время работы аккумуляторов на 20%.

Комментариев нет

  1. nokiajava.ru:

    laughing если бы все прогресировало)) ато по частям как-то тупо

Добавить комментарий