Первые 32-Гбайт DDR3-модули Samsung 30-нм класса

Южнокорейская компания Samsung Electronics с гордостью заявила о том,
что она стала первой в отрасли, начавшей массовый выпуск 32-Гбайт
DDR3-модулей на базе 4-Гбит микросхем 30-нм класса.Южнокорейская компания Samsung Electronics с гордостью заявила о том, что она стала первой в отрасли, начавшей массовый выпуск 32-Гбайт DDR3-модулей на базе 4-Гбит микросхем 30-нм класса. Новинки являются модулями типа RDIMM и нацелены на использование в серверных компьютерах.

При напряжении питания 1,35 В память Samsung может функционировать с эффективной частотой 1866 МГц. Интересно отметить, что предшественники, 32-Гбайт модули на основе чипов 40-нм класса могли работать на максимальной частоте 1333 МГц, причем при более высоком напряжении питания – 1,5 В.

Напоследок Samsung заявила в своём пресс-релизе также о планах в ближайшем будущем, а точнее, уже во втором полугодии, вывести на рынок ещё более энергоэффективные продукты на базе чипов 20-нм класса. Производство 4-Гбит DDR3 DRAM-чипов 30-нм класса стартовало в феврале этого года.

// www.3dnews.ru

Добавить комментарий