Samsung создала тестовый чип ARM по 20-нм HKMG-технологии

В лаборатории компании Samsung Electronics завершилось создание тестового ARM-процессора, готового к производству по 20-нм техпроцессу с применением технологии HKMG (high-K metal gate).

В лаборатории компании Samsung Electronics завершилось создание тестового ARM-процессора, готового к производству по 20-нм техпроцессу с применением технологии HKMG (high-K metal gate). В рамках проекта по созданию чипа инженеры Samsung сотрудничали с ARM Holdings, Cadence Design Systems и Synopsys Inc.

 

 

По информации из официального пресс-релиза при создании микросхемы инженеры применили иной, по сравнению с чипами предыдущих поколений, подход. Так, для реализации 20-нм норм пришлось внести изменения в структуру полупроводниковых компонентов, локальных соединений, а также использовать оптимизированные правила маршрутизации. Главным же нововведением стало использование иной последовательности формирования слоев. Если в техпроцессе HKMG, рассчитанном на нормы 32 и 28 нм, затворы транзисторов формируются первыми, то в новом техпроцессе — последними.

 

В основе тестового процессора лежит чип ARM Cortex M0. Также на борту микросхемы размещены блоки памяти, ввода-вывода и некоторые тестовые структуры. При создании чипа инженеры Samsung одновременно применили средства и процедуры проектирования микропроцессоров, разработанные Cadence и Synopsys.

 

// www.3dnews.ru

Добавить комментарий