Samsung вложит $9 млрд для увеличения производства 3D флеш-памяти в Китае

Южнокорейская компания Samsung инвестирует $9 млрд в расширение производства чипов 3-D NAND флеш-памяти на заводе в Китае, сообщает Nikkei.

Строительство второй линии производства на фабрике в Сиане в китайской провинции Шэньси начнется в этом году и завершится к 2019 году.

Ранее сообщалось, что Samsung в первой половине года запустит новый завод в Южной Корее, строительство которого обошлось компании в $14,4 млрд.

Завод Самсунг

Компания продолжает расширять производство «вертикальной» флеш-память 3D NAND, которая отличается от поколения 2-D NAND более высокой скоростью передачи данных. Такие чипы широко применяются в смартфонах, цифровых камерах, USB-накопителях, жестких дисках и других портативных устройствах. Основным конкурентом для Samsung является японская компания Toshiba, которая в данный момент рассматривает варианты продажи части своего бизнеса по производству чипов флеш-памяти.

Источник: rns.online

Читайте также:

Добавить комментарий