6-нанометровый техпроцесс Samsung будет разрабываться быстрее

По сообщению источника, опирающегося на сообщения южнокорейских СМИ, компания Samsung Electronics пересматривает график освоения технологий полупроводникового производства с целью приблизить начало выпуска продукции по нормам 6 нм. Как утверждается, теперь 6-нанометровый техпроцесс Samsung рассчитывают начать серийно выпускать микросхемы во втором полугодии 2019 года. Ранее на 2019 год был запланирован только пробный выпуск.

Причиной, побуждающей Samsung ускориться, названо отставание от компании TSMC, которая разрабатывает 7-нанометровый техпроцесс. Предложив 6-нанометровую альтернативу, Samsung сможет побороться с TSMC за заказы Qualcomm и Apple. Месяц назад появилась информация, что Qualcomm будет заказывать 7-нанометровые SoC не у Samsung, а у TSMC. К выпуску серийной продукции по нормам 7 нм в TSMC рассчитывают приступить в начале 2018 года.

6-нанометровый техпроцесс Samsung

Отметим, что на данном этапе TSMC использует иммерсионную литографию, но ведет разработки улучшенной версии 7-нанометрового техпроцесса с использованием литографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). Эта версия должна быть готова к серийному производству в 2019 году.

Компания Samsung тоже делает ставку на EUV. До конца года южнокорейский производитель рассчитывает установить две машины ASML, предназначенные для EUV-литографии, а в будущем году — еще семь. Это оборудование позволяет освоить нормы 7, 6 и 5 нм.

Отметим, что, вероятнее всего, речь идет о сканерах ASML 3400B, поставки которых начались весной. Это первый EUV-сканер ASML, подходящий для серийного производства, поскольку его проектная производительность составляет 125 пластин в час. Первые экземпляры обеспечивали обработку 104 пластин в час, поскольку в них установлен источник излучения мощностью 148 Вт. Для производительности 125 пластин в час необходима мощность 250 Вт — источник такой мощности ASML показала на прошлой неделе.

Источник: ixbt.com

Читайте также:

Добавить комментарий